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ロシアにおける半導体配置設計の保護

2013年09月06日

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■概要
(本記事は、2017/7/18に更新しています。)
 URL:https://www.globalipdb.inpit.go.jp/application/13902/

「模倣対策マニュアル ロシア編」(2012年3月、日本貿易振興機構)第1章第6節(3)では、ロシアにおける半導体配置設計の保護について記載されている。配置設計は、最初に使用されてから2年以内であればロシア特許庁(Rospatent)に登録できる。当該配置設計に対する権利の存続期間は、最初に使用された時又は登録された時のいずれか早い方から10年間である。配置設計が登録されている場合、譲渡、ライセンス付与、担保権設定契約及び契約によらない配置設計の譲渡(組織再編等)は、登録しなければ無効になる。
■詳細及び留意点

【詳細】

模倣対策マニュアル ロシア編(2012年3月、日本貿易振興機構)第1章第6節(3)

 

(目次)

第1章:ロシアにおける知的財産権の取得

第6節 その他の権利

(3) 半導体配置設計権 p.149

■ソース
・模倣対策マニュアル ロシア編(2012年3月、日本貿易振興機構)
https://www.globalipdb.inpit.go.jp/jpowp/wp-content/uploads/2013/09/b91f7f3b65c81f32e4c8610ed549ee17.pdf
■本文書の作成者
一般財団法人比較法研究センター 不藤真麻
■本文書の作成時期

2013.08.05

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